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电子元器件详细资料 » IC[27449] » SP8M9FU6TB
型号:SP8M9FU6TB类别:FET - 阵列制造商:Rohm Semiconductor
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET N/P-CH 30V 9A/5A 8SOIC

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET N/P-CH 30V 9A/5A 8SOIC
系列-
制造商Rohm Semiconductor
FET型N 和 P 沟道
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流_连续漏极(Id)0a025000C9A,5A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C18 毫欧 @ 9A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2222.5V @ 1mA
闸电荷(Qg)0a0Vgs21nC @ 5V
输入电容(Ciss)0a0Vds1190pF @ 10V
功率_最大2W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOIC N
包装带卷 (TR)

供应商

北京元坤国际科技有限公司何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
深圳市金嘉锐电子有限公司朱先生086-0755-22929859
北京显周科技有限公司刘先生13910052844(微信同步)
深圳市恒凯威科技开发有限公司朱先生086-0755-22207335 0755-22318162
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深圳市旺财半导体有限公司李先生86-83209217

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